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J-GLOBAL ID：200903010193901604

シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ

Inventor： 中田 嘉信 ,  塩多 孝明 ,  野々垣 嘉久
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000286163
Publication number (International publication number)：2002100584
Application date： Sep. 20, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】 シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハにおいて、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域のウェーハの酸化膜耐圧を向上させること。【解決手段】 空孔型点欠陥が支配的に存在する領域からなるシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハの熱処理方法であって、熱処理の温度をT(°C)とすると共に熱処理の時間をS(秒)としたとき、以下の関係式;S≧-2.9T+3490(S>0)を満たす温度T及び時間Sで前記シリコンウェーハを雰囲気ガス中で熱処理する。

Claim (excerpt)：

空孔型点欠陥が支配的に存在する領域からなるシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハの熱処理方法であって、熱処理の温度をT(°C)とすると共に熱処理の時間をS(秒)としたとき、以下の関係式;S≧-2.9T+3490(S>0)を満たす温度T及び時間Sで前記シリコンウェーハを雰囲気ガス中で熱処理することを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/322

FI (2)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/26 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• シリコン単結晶製造方法および半導体形成用ウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-078666   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• 結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-074866   Applicant：信越半導体株式会社
• シリコン半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-084915   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• シリコンウエーハの熱処理方法およびシリコンウエーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-082606   Applicant：信越半導体株式会社
• シリコン単結晶ウエハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-292995   Applicant：東芝セラミックス株式会社