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J-GLOBAL ID：200903010194849088

パターン形成方法

Inventor： 佐藤 康彦 ,  塩原 英志 ,  中野 義彦 ,  早瀬 修二 ,  大西 廉伸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000048251
Publication number (International publication number)：2000310863
Application date： Feb. 24, 2000
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 レジストパターンをマスク材に転写する際に生じる寸法変換差を抑制して、寸法精度よく被加工膜を加工可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】 被加工膜上に鋳型パターンを形成する工程、前記鋳型パターンの間に、下記一般式(CP1)ないし(CP4)で表される繰り返し単位を有するネットワーク状炭素重合体の少なくとも1種を含むマスク材を埋め込む工程、前記鋳型パターンを除去してマスク材パターンを形成する工程、及び前記マスク材パターンを前記被加工膜に転写して被加工膜パターンを形成する工程を具備するパターン形成方法である。(上記一般式中、Rはハロゲン原子、水素原子、置換または無置換の炭化水素基であり、Aは多価の有機基である。m,n,kは正の整数である。)

Claim (excerpt)：

被加工膜上に、下記一般式(CP1)ないし(CP4)で表される繰り返し単位を有するネットワーク状炭素重合体の少なくとも1種を含む溶液を塗布してマスク材を形成する工程と、前記マスク材上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光および現像処理を施してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを前記マスク材に転写して、マスク材パターンを形成する工程と、前記マスク材パターンを前記被加工膜に転写して、被加工膜パターンを形成する工程とを具備するパターン形成方法。【化1】(上記一般式中、Rはハロゲン原子、水素原子、置換または無置換の炭化水素基であり、Aは多価の有機基である。m,n,kは正の整数である。)

IPC (6)：

G03F 7/40 521 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (7)：

G03F 7/40 521 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/88 D