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J-GLOBAL ID：200903010203982659

半導体記憶装置

Inventor： 諏訪 真人 ,  諸岡 毅一 ,  古谷 清広
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993229996
Publication number (International publication number)：1995085655
Application date： Sep. 16, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 動作速度を高速化するとともに、低消費電力化を実現することができる半導体記憶装置を提供する。【構成】 通常読出時、メモリセルアレイMC1〜MC4から読出したデータをプリアンプPA1〜PA4で増幅する。増幅されたデータは、セレクタ部SEL1でビット構成選択信号に応答して、所定のビット構成に応じたデータが選択され、データバスDB0〜DB15、/DB0〜/DB15へ出力される。また、テストモード時、セレクタ部SEL1〜SEL4は、テストモード信号等に応答して、所定のビット構成に対応してテスト結果をデータバスDB0〜DB15、/DB0〜/DB15へ出力する。したがって、データバスDB0〜DB15、/DB0〜/DB15は、ビット構成およびテストモードに応じて必要なものだけが使用される。

Claim (excerpt)：

ビット構成制御信号に応じて所定のビット構成でデータの入出力を行なう半導体記憶装置であって、前記データを記憶する記憶手段と、前記ビット構成制御信号に応答して、前記記憶手段から出力されるデータを選択する選択手段と、前記選択手段により選択されたデータを伝送するデータバスと、前記データバスにより伝送されたデータを出力する出力手段とを含む半導体記憶装置。

IPC (2)：

G11C 11/401 ,  G11C 29/00 303