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J-GLOBAL ID：200903010210742809

半導体圧力センサ

Inventor： 浅 野 勝 吾 ,  森 川 貴 志 ,  古 賀 達 哉
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 蔵合 正博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991334959
Publication number (International publication number)：1993164647
Application date： Dec. 18, 1991
Publication date： Jun. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 接着剤の流入による悪影響および実装場所における温度上昇に起因する熱応力によるセンサの感度および信頼性の低下を防止する。【構成】 感圧ダイヤフラム1を備えたセンサ素子2と、センサ素子2とハイブリッド回路基板5とを接続するボンディングワイヤ7と、センサ素子2とボンディングワイヤ7との表面にコーティングされたゲル8と、センサ素子2とボンディングワイヤ7との周囲を囲むようにハイブリッド回路基板5に接着固定されたケース9と、圧力取り入れ用の孔11を有してケース9の上面に接着固定されたキャップ10とを備え、ケース9とキャップ10を固定する接着剤のケース9内部への流出を防止する逃げ溝22をケース9の上面に設け、この逃げ溝22とケース9内部とを連通させる通気溝23をキャップ10の下面に設け、逃げ溝22内に空気が封入されるのを防止する。

Claim (excerpt)：

感圧ダイヤフラムを備えたセンサ素子と、前記センサ素子とハイブリッド回路基板とを接続するボンディングワイヤと、前記センサ素子とボンディングワイヤとの表面を覆うようにコーティングされたゲルと、前記センサ素子とボンディングワイヤとの周囲を囲むように前記ハイブリッド回路基板に接着固定されたケースと、圧力取り入れ用の孔を有して前記ケースの上面に接着固定されたキャップとを備え、さらに前記ケースとキャップを固定する接着剤のケース内部への流出を防止するために前記ケースの上面に形成された逃げ溝と、前記逃げ溝とケース内部とを連通させるために前記キャップの下面に形成された通気溝とを備えた半導体圧力センサ。