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J-GLOBAL ID：200903010214264782

半導体装置の製造方法

Inventor： 宮島 秀史 ,  早坂 伸夫 ,  岡野 晴雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994222016
Publication number (International publication number)：1996088223
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】弗素を含み、SiO2 を主成分とする吸湿性に優れた絶縁膜の形成方法を提供すること。【構成】Si基板31に、弗素を含み、SiO2 を主成分とする絶縁膜32を形成するに際し、絶縁膜32の原料として、Six Hy (x≧1、0≦y≦2x+2)、酸素を含む酸素原料および弗素を含む弗素原料を用い、かつこれら三つの原料のうちの少なくとも一つを、イオンエネルギーが10eV以上のイオンとすることを特徴とする。とを備えている。

Claim (excerpt)：

被処理基体上に、弗素を含み、SiO2 を主成分とする絶縁膜を形成するに際し、前記絶縁膜の原料として、Six Hy (x≧1、0≦y≦2x+2)、酸素を含む酸素原料および弗素を含む弗素原料を用い、かつ前記三つの原料のうちの少なくとも一つを、イオンエネルギーが10eV以上のイオンとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。