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J-GLOBAL ID：200903010230397750
配線構造
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993184562
Publication number (International publication number)：1995045611
Application date： Jul. 27, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】AlとCVDWとの積層配線において、エレクトロマイグレーション耐性を向上させる。【構成】CVDW膜1の上に、アルミ膜14をスパッタにより形成し、リフローさせそのアルミ表面を平坦化する。その後、チタン、窒化チタン、チタンタングステンといった導電層15と、アルミ膜16とをスパッタにより形成した後、通常の微細加工技術によって配線を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体集積回路基板上に化学気相成長したタングステン膜と、このタングステン膜表面上に表面が平坦化された第1のアルミニウム膜と、この第1のアルミニウム膜表面に形成したアルミニウム膜以外の導電膜と、前記アルミニウム膜以外の導電膜表面上に形成した第2のアルミニウム膜とを有することを特徴とする配線構造。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
H01L 21/88 R
, H01L 21/88 N
, H01L 21/88 K
