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J-GLOBAL ID：200903010235179777

基板処理装置

Inventor： 阿久津 功 ,  大見 忠弘 ,  平山 昌樹
Applicant, Patent owner： 大亜真空株式会社 ,  大見 忠弘
Agent (1)： 木下 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001369005
Publication number (International publication number)：2003168654
Application date： Dec. 03, 2001
Publication date： Jun. 13, 2003
Summary：

【要約】【課題】 水素ガスを水素ラジカルの活性種にするに際し、活性化の効率を向上させた基板処理装置を提供する。【解決手段】 基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内にH2 ガスとN2 ガスの混合ガスを供給するノズル部材6と、前記ノズル部材の下方に配置されたシャワー部材7と、前記シャワー部材の下方に配置された触媒9と、前記触媒の下方に配置された基板を載置する載置台5と、前記チャンバの上部に配置された石英ガラスからなる窓部3aと、前記窓部の上方に配置された加熱手段13とを備えることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

水素ラジカルを用いて基板を処理する基板処理装置において、基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内にH2 ガスとN2 ガスの混合ガスを供給するノズル部材と、前記ノズル部材の下方に配置されたシャワー部材と、前記シャワー部材の下方に配置された触媒と、前記触媒の下方に配置された基板を載置する載置台と、前記チャンバの上部に配置された石英ガラスからなる窓部と、前記窓部の上方に配置された加熱手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/28

FI (2)：

H01L 21/285 Z ,  H01L 21/28 B

F-Term (2)：

4M104BB39 ,  4M104DD86