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J-GLOBAL ID：200903010237164424
非晶質シリコンのドライエッチング方法およびそれを用いた薄膜トランジスタの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992343798
Publication number (International publication number)：1994196451
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】【構成】非晶質シリコン薄膜トランジスタ(a-Si・TFT)におけるプラズマCVD法で成膜したa-Si膜4をアイランド状に形成するエッチング工程において、F,Cl原子を含むハロゲンガスと2〜20容量%の範囲で添加したO2を混合したガスのプラズマ中でドライエッチングを行った。【効果】本発明により、a-Si膜4のテーパ角を30〜60度の範囲の傾斜状に加工でき、a-Si膜4を乗り越えるTFTのソース・ドレイン電極,ドレインバスラインの断線および高抵抗化による不良を減らし、a-Si・TFTマトリクス基板の歩留りを向上させる。
Claim (excerpt)：
非晶質シリコン膜を、F,Cl原子を含む単一もしくは複数のハロゲンガスとO2を混合したガスのプラズマ中でドライエッチングすることを特徴とする非晶質シリコンのドライエッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 29/784
