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J-GLOBAL ID：200903010238613931

エピタキシャルウエハの製造方法

Inventor： 佐藤忠重
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 蛭川 昌信 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995139625
Publication number (International publication number)：1996335555
Application date： Jun. 06, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ドーパントを再現性よく、かつ高濃度に容易にドープ可能にする。【構成】 III -V族化合物半導体エピタキシャルウエハの製造方法において、P型の層を気相成長法で成長させる際に、金属亜鉛、金属マグネシウムのような単体金属をドーパント源とすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

III -V族化合物半導体エピタキシャルウエハの製造方法において、P型の層を気相成長法で成長させる際に、単体金属をドーパント源とすることを特徴とするエピタキシャルウエハの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/44 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (5)：

H01L 21/205 ,  C30B 23/08 Z ,  C30B 29/44 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭51-126049
  
• 特開昭50-042785
  
• 特開昭59-103329