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J-GLOBAL ID：200903010239798293

粒径のそろったシリカ超微粒子、その製造法

Inventor： 松谷 寛 ,  本田 裕 ,  須佐 憲三
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 高田 幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001178013
Publication number (International publication number)：2003002632
Application date： Jun. 13, 2001
Publication date： Jan. 08, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】平均粒径が1nm〜100nmの範囲内で、その粒径分布が単分散型のシリカ超微粒子を提供する。【解決手段】次の(a)、(b)及び(c)の工程により、シリカ超微粒子を製造する。工程(a):イソシアナートと反応できる官能基を分枝末端にもつデンドリマーと、イソシアナート基をもつアルコキシシラン(反応試薬)とを反応させて、「分枝末端にアルコキシシリル基をもつデンドリマー」(シリル化デンドリマー)とする。工程(b):「分枝末端にアルコキシシリル基をもつデンドリマー」(シリル化デンドリマー)の分枝末端(表層)のアルコキシシランを加水分解し、脱水縮合し、シリカ超微粒子前駆体とする。工程(c):前記前駆体に、新たにアルコキシシランを加えて反応させ、その表層にシリカ層を積層させる。

Claim (excerpt)：

次の(b)及び(c)の工程を含んでなるシリカ超微粒子の製造法:(b)「分枝末端にアルコキシシリル基をもつデンドリマー」(シリル化デンドリマー)の分枝末端のアルコキシシランを加水分解し、脱水縮合し、シリカ超微粒子前駆体とする工程;(c)前記前駆体に、新たにアルコキシシランを加えて反応させ、その表層にシリカ層を積層させる工程。

IPC (2)：

C01B 33/18 ,  C08G 85/00

FI (2)：

C01B 33/18 Z ,  C08G 85/00

F-Term (16)：

4G072AA25 ,  4G072BB05 ,  4G072DD06 ,  4G072DD07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH30 ,  4G072MM01 ,  4G072RR05 ,  4G072TT01 ,  4G072TT02 ,  4G072UU01 ,  4G072UU15 ,  4G072UU30 ,  4J031CA07 ,  4J031CD26