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J-GLOBAL ID：200903010252346989

半導体結晶の製造方法

Inventor： 神澤 好彦 ,  浅井 明 ,  齋藤 徹 ,  大西 照人
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001293794
Publication number (International publication number)：2003101009
Application date： Sep. 26, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】C原子は、結晶の格子位置のみならず、格子間にも入り込みやすい性質を持っているので、格子間C濃度が低い良質なSil-x-yGexCy結晶をつくるための製造方法を提供する。【解決手段】 Cを含有するIV族半導体混晶を堆積し、その上にSiを堆積し、そのSiを酸化、除去する事で、前記Cを含有するIV族元素からなる混晶半導体中のC濃度が、1×1017/cm3を超えている良質のCを含有するIV族半導体混晶を製造する。

Claim (excerpt)：

基板上に、炭素(C)を含有するIV族元素からなる混晶半導体を形成する工程と、前記混晶半導体層の上に珪素(Si)層を形成する工程と、前記Si層を酸化して二酸化珪素(SiO2)を形成する工程と、前記SiO2の少なくとも一部を除去する工程を有する半導体結晶の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/161 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/225

FI (3)：

H01L 29/161 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/225 Z

F-Term (3)：

5F052AA11 ,  5F052DA10 ,  5F052KA05