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J-GLOBAL ID：200903010263366205

ダイヤモンドライクカーボン薄膜及びその製造方法

Inventor：
阿部 晃

About 阿部 晃

, 
角屋 聡

About 角屋 聡

, 
諸貫 正樹

About 諸貫 正樹


Applicant, Patent owner：
株式会社リケン

About 株式会社リケン


Agent (1)： 村井 卓雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999057085
Publication number (International publication number)：2000256850
Application date： Mar. 04, 1999
Publication date： Sep. 19, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 炭化水素を原料としてプラズマCVD法により形成されたDLC膜は摩擦特性は良好であるが、特にステンレス材のような基板では厚いDLC膜を直接形成できないために、基材とDLC薄膜の間には中間層を形成する。中間層とその上に形成されるDLC膜との密着性が不充分であると、形成された膜がすぐに剥離するので、基材との密着性が高いDLC膜を提供する。【解決手段】 母材に中間層を介して形成されたダイヤモンドライクカーボン層を含んでなるダイヤモンドライクカーボン薄膜において、中間層とダイヤモンドライクカーボン層の間に、中間層の成分と炭素からなる混合成分層を設け、混合成分層がダイヤモンドライクカーボン層と接する位置では該混合成分層は実質的に炭素からなり、また中間層と接する位置では該混合成分層は実質的に中間層の成分からなるとともに、この混合成分層の組成を層厚さ方向で段階的又は連続的に変化させる。
Claim (excerpt)：
母材に中間層を介して形成されたダイヤモンドライクカーボン層を含んでなるダイヤモンドライクカーボン薄膜において、前記中間層と前記ダイヤモンドライクカーボン層の間に、該中間層の成分と炭素からなる混合成分層を設け、該混合成分層がダイヤモンドライクカーボン層と接する位置では該混合成分層は実質的に炭素からなり、また中間層と接する位置では該混合成分層は実質的に中間層の成分からなるとともに、この混合成分層の組成を層厚さ方向で段階的又は連続的に変化させたことを特徴とするダイヤモンドライクカーボン薄膜。
IPC (2)：
C23C 16/27 ,  C30B 29/04
FI (2)：
C23C 16/26 A ,  C30B 29/04 J
F-Term (32)：
4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DA11 ,  4G077DA12 ,  4G077DB18 ,  4G077DB19 ,  4G077DB20 ,  4G077HA13 ,  4G077TA04 ,  4G077TA08 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA14 ,  4K030BA02 ,  4K030BA06 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA26 ,  4K030BA28 ,  4K030BA29 ,  4K030BA36 ,  4K030BA37 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030DA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA02 ,  4K030HA02 ,  4K030HA04 ,  4K030JA06 ,  4K030LA20 ,  4K030LA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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