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J-GLOBAL ID:200903010274492997

レジスト除去方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小池 隆彌
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998171479
Publication number (International publication number):2000010301
Application date: Jun. 18, 1998
Publication date: Jan. 14, 2000
Summary:
【要約】【課題】 人体及び自然環境に対して無害な物質を用いて、半導体素子や液晶ディスプレイなどの製造工程中で用いられるレジストを除去できるようにする。【解決手段】 被洗浄物a上にパターンを形成し、不要になったたフォトレジストを、密閉状態で高圧にした水で分解除去する。さらに同じく密閉状態で高圧にした二酸化炭素でリンスを行う。その後、大気圧まで圧力を減圧することにより被洗浄物aを乾燥させる。
Claim (excerpt):
被洗浄物上に塗布したレジストを除去するレジスト除去方法であって、密閉状態で高圧にした液体状態または、超臨界状態の水の分解作用により、被洗浄物からレジストを除去することを特徴とするレジスト除去方法。
IPC (2):
G03F 7/42 ,  H01L 21/027
FI (2):
G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B
F-Term (6):
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02 ,  5F046MA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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