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J-GLOBAL ID：200903010279873336

超電導性電界効果トランジスタ及び該トランジスタに使用される多層構造体の製造方法

Inventor： ジユリアン・ボツク ,  ピエール・ベルンスタン
Applicant, Patent owner： ブル・エス・アー
Agent (1)： 川口 義雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992063741
Publication number (International publication number)：1994237023
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】本発明のトランジスタ10は、各々がデバイ長さにほぼ等しい厚さを有する超電導性層17及び非超電導性層18を交互に含むチャネル構造体14と、ゲート電極15の絶縁膜16によって分離されたソース電極12及びドレイン電極13とを順次担持している基板11を含んでいる。このトランジスタは、小さいドレイン・ソース電圧及び小さいゲート制御電圧で大きな電流を流すことができる。

Claim (excerpt)：

非超電導性層と超電導性層とからなりソース電極とドレイン電極との間のチャネルを規定している構造体と、ゲート電極とを基板上に含んでおり、前記ゲート電極が前記チャネル上に配置されており、前記超電導性層がデバイ長さにほぼ等しい厚さを有しており、前記構造体がn回反復し得、該構造体が、これを構成する層が相互間に連続した界面を有するように形成されていることを特徴とする超電導性電界効果トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-160273
  
• 特開平2-060176
  
• 特開平1-207982