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J-GLOBAL ID：200903010336316848

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

Inventor： 瀧 哲也 ,  浅井 誠
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000037381
Publication number (International publication number)：2001230447
Application date： Feb. 16, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【目的】 基板とnコンタクト層との間の格子不整合を緩和し、III族窒化物系化合物半導体層の結晶性を向上する。【構成】 基板とnコンタクト層との間に、MOCVD法により1000°C〜1180°Cの成長温度でAlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)からなる第1の半導体層をその格子定数を変化させながら成長させる。

Claim (excerpt)：

基板上にMOCVD法により1000°C〜1180°Cの成長温度でAlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)からなる第1の半導体層をその格子定数を段階的及び/又は連続的に変化させながら成長させるステップを含む、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323

F-Term (36)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB40 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA58 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F045EE17 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29