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J-GLOBAL ID：200903010350771663

欠陥検査装置

Inventor： 滝沢 正明
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995115397
Publication number (International publication number)：1996316281
Application date： May. 15, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 多層配線であっても欠陥を検査することができる欠陥検査装置を提供すること。【構成】 本発明は、シリコン10a等の基材に配線パターン11が形成されたウエハ10等の試料に対しレーザ光を照射し、配線パターン11に流れる電流の変化に基づき得られる2次元画像によって配線パターン11の欠陥検査を行う欠陥検査装置1であり、基材を透過し配線パターン11にて吸収される波長のレーザ光を出射する例えば赤外線レーザ光源31と、ここから出射したレーザ光を試料に対して走査する走査部32と、レーザ光の照射によって配線パターン11に流れる電流の変化に基づき2次元画像を算出する演算部4とを備えている。

Claim (excerpt)：

所定の基材に配線パターンが形成された試料に対しレーザ光を照射し、該配線パターンに流れる電流の変化に基づき得られる2次元画像によって該配線パターンの欠陥検査を行う欠陥検査装置であって、前記基材を透過し前記配線パターンにて吸収される波長のレーザ光を出射する光源と、前記光源から出射したレーザ光を前記試料に対して走査する走査手段と、前記レーザ光の照射によって前記配線パターンに流れる電流の変化に基づき前記2次元画像を算出する演算手段とを備えていることを特徴とする欠陥検査装置。

IPC (4)：

H01L 21/66 ,  G01R 19/00 ,  G01R 31/02 ,  G01R 31/302

FI (4)：

H01L 21/66 S ,  G01R 19/00 V ,  G01R 31/02 ,  G01R 31/28 L