Pat
J-GLOBAL ID：200903010355592236
単結晶シリコン上に化合物半導体のエピタキシヤル層を製造する方法及びそれにより製造された発光ダイオード
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中平 治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998128021
Publication number (International publication number)：1998321911
Application date： Apr. 03, 1998
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 電子構成部分の製造のために十分な結晶品質を有する半導体層を製造することができる、InxAlyGa1-x-yN(0≦x,0≦y,x+y≦1)の構造のIII-Vタイプの窒化物化合物半導体からなるエピタキシャル層を製造する方法を提供する。【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板上にInxAlyGa1-x-yN(0≦x,0≦y,x+y≦1)の構造のIII-Vタイプの窒化物化合物半導体のエピタキシャル層を製造する方法が記述される。方法は、次の方法ステップを有する。単結晶シリコンからなる基板(10)の表面に、区分状の構造を製造する。区分(15)においてシリコン表面が露出しており、かつ区分の縁は、マスク材料(20)によって囲まれている。シリコン表面ににおけるもっぱら区分における窒化物化合物半導体(30,40)のエピタキシャル成長によって、局所的な島が製造され、これらの島の縁において、格子誤整合によって発生される応力を解体することができる。最終的に区分内又はその上に、構成素子が製造される。
Claim (excerpt)：
単結晶シリコンからなる基板上にInxAlyGa1-x-yN(0≦x,0≦y,x+y≦1)の構造のIII-Vタイプの窒化物化合物半導体のエピタキシャル層を製造する方法において、・単結晶シリコンからなる基板(10)を準備し;・基板の表面に区分状の構造を製造し、その際、区分(15)においてシリコン表面が露出しており、かつ区分の縁が、マスク材料(20)によって囲まれており;・もっぱら区分においてシリコン表面に窒化物化合物半導体(30,40)のエピタキシャル成長が行なわれる、方法ステップを特徴とする、単結晶シリコン上に化合物半導体のエピタキシャル層を製造する方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Return to Previous Page
