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J-GLOBAL ID：200903010356465777

シリコン酸化膜の製造法

Inventor： 寶地戸 雄幸 ,  二木 剛彦
Applicant, Patent owner： 株式会社高純度化学研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992090404
Publication number (International publication number)：1993239650
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多孔質ではなく緻密で張力性残留応力がなく、しかも膜中に有機分がなく、平坦性にも優れたシリコン酸化膜を製造する。【構成】 アルコキシシランを原料にしてCVD法によって電子デバイス用酸化膜を製造する場合、チタン族元素(Ti,Zr,Hf)のアルコキシドあるいはアルキルアミン化合物を添加する。ここでチタン族元素のアルコキシドはTi(OC3H7)4,Ti[OCH(CH3)2]4,Ti(OC4H9)4,Ti[OCH(CH3)C2H5]4,Ti[OC(CH3)3]4,Zr[OC(CH3)3]4,Hf[OC(CH3)3]4等であり、アルキルアミン化合物はTiH[N(CH3)2]3,Ti[N(CH3)2]4,Ti[N(C2H5)2]4等である。

Claim (excerpt)：

アルコキシシランを原料にしたCVD法による電子デバイス用酸化膜の製造において、チタン族元素のアルコキシドあるいはアルキルアミン化合物を添加することを特徴とするシリコン酸化膜の製造法。

IPC (2)：

C23C 16/40 ,  H01L 21/316