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J-GLOBAL ID：200903010362301026
シリコンウェーハの熱処理方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
猪熊 克彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994209280
Publication number (International publication number)：1995161707
Application date： Aug. 09, 1994
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】シリコンウェーハの酸化膜耐圧を簡易に改善することができる熱処理方法を提供する。【構成】熱放射によって、900〜1050°C、1sec以上60sec未満の熱処理をシリコンウェーハに施すことを特徴とし、また、熱放射の熱源に波長0.1〜4μmのランプを用い、石英製の容器中にシリコンウェーハを配置し、該容器外より前記ランプによって950°C〜1200°C、1sec以上60sec未満の熱処理をH2濃度100%雰囲気下で行なうことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
熱放射によって、900〜1050°C、1sec以上60sec未満の熱処理をシリコンウェーハに施すシリコンウェーハの熱処理方法。
IPC (3)：
H01L 21/316
, H01L 21/26
, H01L 21/324
