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J-GLOBAL ID：200903010387144197

光双安定半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 荻田 省一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994048847
Publication number (International publication number)：1995263790
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】双安定半導体レーザに関し、高効率で安定で信頼性の高くすること。【構成】光の進行方向に沿って利得領域12よりも可飽和領域13の膜厚が厚く、該膜厚が該利得領域12から該可飽和領域13にかけて連続的に変化している量子井戸層3を含む。

Claim (excerpt)：

光の進行方向に沿って利得領域(12)よりも可飽和領域(13)の膜厚が厚く、該膜厚が該利得領域(12)から該可飽和領域(13)にかけて連続的に変化している量子井戸層(3)を有することを特徴とする特徴とする光双安定半導体レーザ。