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J-GLOBAL ID：200903010391926060

半導体スイッチング素子

Inventor： 八尾 勉 ,  大野 俊之 ,  小野瀬 秀勝 ,  及川 三郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998248045
Publication number (International publication number)：2000077662
Application date： Sep. 02, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】電流の高速遮断時に回路エネルギーによって発生する過電圧からスイッチング素子を保護する。【解決手段】基材にワイドバンドギャップ半導体単結晶を適用し、pn接合(103)のパンチスルー降伏電圧により素子にかかる電圧をクランプする領域(10)を具備させる。【効果】スイッチング素子のサージ耐量が向上する。

Claim (excerpt)：

バンドギャップエネルギーが2.0eV 以上の単結晶半導体基板が、ドレイン層と、前記ドレイン層よりも低不純物濃度の第一導電型のドリフト層と、前記ドリフト層内に形成された第二導電型の複数のウエル層と、少なくとも1つの前記ウエル層内に形成された第一導電型のソース層と、を有し、前記ソース層および前記ウエル層とに接続したソース電極と、前記ドレイン層に接続したドレイン電極と、前記ドリフト層と前記ウエル層および前記ドリフト層の表面を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備え、隣り合う前記ウエル層の間に、前記ソース電極と接続する第二導電型の半導体層が形成され、前記半導体層の不純物総量が前記ウエル層の不純物総量より低いことを特徴とする半導体スイッチング素子。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/80

FI (5)：

H01L 29/78 655 G ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 657 A ,  H01L 29/80 V

F-Term (14)：

5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102FA06 ,  5F102FB01 ,  5F102FB10 ,  5F102GA01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC07 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GR08 ,  5F102GS08 ,  5F102GS10 ,  5F102HC07