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J-GLOBAL ID：200903010404950704

半導体放射線検出器及びそれを用いた産業用X線CT装置

Inventor：
上村 博

About 上村 博

, 
額賀 淳

About 額賀 淳


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 井上 学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007062753
Publication number (International publication number)：2008227117
Application date： Mar. 13, 2007
Publication date： Sep. 25, 2008
Summary：
【課題】 産業用X線CT装置およびそれに設置された半導体放射線検出器は、5年から10年の長期にわたり使用されるものである。そのような長期にわたる半導体放射線検出器の特性の劣化を防止する必要がある。本発明は、半導体放射線検出器の特性の劣化を抑制することを目的とする。【解決手段】 本発明は、電極を備えた半導体結晶と、前記半導体結晶を設置した基板とを備えた半導体放射線検出器であって、前記半導体結晶を構成する外表面のうち、前記半導体結晶の電極が設けられた面以外の面から間隔をあけて結晶面保護手段を設けることを特徴とする。【効果】 本発明によれば、半導体放射線検出器の特性の劣化を抑制することが可能となる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
電極を備えた半導体結晶と、前記半導体結晶を設置した基板とを備えた半導体放射線検出器であって、 前記半導体結晶を構成する外表面のうち、前記半導体結晶の電極が設けられた面以外の面から間隔をあけて結晶面保護手段を設けることを特徴とする半導体放射線検出器。
IPC (4)：
H01L 31/09 ,  G01T 1/24 ,  A61B 6/03 ,  H01L 31/02
FI (5)：
H01L31/00 A ,  G01T1/24 ,  A61B6/03 320R ,  A61B6/03 320W ,  H01L31/02 B
F-Term (9)：
2G088GG21 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ10 ,  2G088JJ35 ,  2G088JJ36 ,  4C093EB13 ,  5F088AB09 ,  5F088BA11 ,  5F088JA20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
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