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J-GLOBAL ID：200903010405332826
薄膜のエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993106928
Publication number (International publication number)：1994318577
Application date： May. 07, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】透明な絶縁基板上に、所定形成にパタ-ニングされた少なくとも一層の薄膜上に直接あるいは絶縁膜を介して透明導電薄膜を成膜後、所定形状にエッチングする際、下地段差部での膜残りを防止し、画素電極間が短絡しないようなドライエッチング技術を提供する。【構成】液晶表示装置の画素電極として機能する透明導電薄膜のエッチングにおいて、イオンビ-ムミリング法によりドライエッチングを行う際、最初は平坦部、次に段差部というようにイオンビ-ムの入射角を2段階に変化させエッチングを行う。【効果】イオンビ-ムの角度を2段階に変化させてエッチングするため平坦部から段差部への膜の再付着が防止され、画素電極間の短絡が無くなるため表示欠陥不良の発生を防止でき歩留り及び表示品質が向上する
Claim (excerpt)：
透明な絶縁基板上に所定形成にパタ-ニングされた少なくとも一層の薄膜上に直接あるいは絶縁膜を介して透明導電薄膜を成膜後、所定形状にエッチングする際、イオンビ-ムミリング法でイオンビ-ムの入射角を2段階に変えてエッチングすることを特徴とする薄膜のエッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 29/784
