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J-GLOBAL ID：200903010411440584
固体撮像素子の欠陥画素検出回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
安富 耕二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995220886
Publication number (International publication number)：1997065378
Application date： Aug. 29, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：
【要約】【課題】 遮光時の1回当りの露光ではCCDの欠陥画素と非欠陥画素の撮像信号レベル差が小さいために、各画素のレベルを所定の閾値と比較する場合に誤判断が生じる。【解決手段】 遮光時に1回の露光によりCCD2の全画素の撮像出力レベルを第1閾値THL1と比較して欠陥候補画素を設定し、次に所定回数Nの露光にて得られるこれらの欠陥候補画素の撮像出力の累積値を算出し、これらの累積値を第2閾値THL2と比較して欠陥候補画素から欠陥画素を検出する。
Claim (excerpt)：
固定撮像素子への光の入射を遮断する遮光手段と、遮光状態で実行される露光により得られる該固体撮像素子の各画素毎の撮像信号を画像データとして記憶する画像メモリと、遮光状態において1回の露光により得られた画像データを該画像メモリから読み出し、画素毎に第1閾値と比較する第1比較手段と、該第1比較手段での比較により、画像データが該第1閾値を越える画素を欠陥候補画素とし、該欠陥候補画素の位置データ及び画像データ値を記憶する欠陥候補画素メモリと、該欠陥候補画素メモリでの全欠陥候補画素の位置データ及び画像データ値の記憶が完了した後に、遮光状態を保持しつつ実行される所定回数の露光により得られる前記欠陥候補画素毎の画像データの累積値を算出する累積値算出手段と、該累積値を前記欠陥候補画素毎に第2閾値と比較する第2比較手段と、該第2比較手段での比較により、累積値が該第2閾値を越える欠陥候補画素の位置データを欠陥画素位置データとして記憶する欠陥画素メモリと、を具備する固体撮像素子の欠陥画素検出装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H04N 17/00 K
, H04N 5/335 P
