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J-GLOBAL ID：200903010414867520

発光ダイオード

Inventor： 祝迫 力
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003189361
Publication number (International publication number)：2005026401
Application date： Jul. 01, 2003
Publication date： Jan. 27, 2005
Summary：

【課題】サブマウント基板を用いた場合の輝度の低下を防止する発光ダイオードを提供する。【解決手段】サブマウント基板10上に半導体発光素子5を搭載した半導体発光装置6を、樹脂ケース4内に設けた対となる電極2,3に接続し、エポキシを主体とする封止樹脂7を樹脂ケース4の内部に充填して半導体発光装置6を封止した発光ダイオード1において、封止樹脂7は、サブマウント基板10の上面を覆う反射層12と、半導体発光素子5を覆う光透過層13とを有することを特徴とする発光ダイオード1としたものであり、半導体発光素子5から斜め下方に出射された光を反射層12で反射して取り出すことができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

サブマウント基板上に半導体発光素子を搭載した半導体発光装置を、樹脂ケース内に設けた対となる電極に接続し、エポキシを主体とする封止樹脂を前記樹脂ケースの内部に充填して前記半導体発光装置を封止した発光ダイオードにおいて、 前記封止樹脂は、前記サブマウント基板の上面を覆う反射層と、 前記半導体発光素子を覆う光透過層とを有することを特徴とする発光ダイオード。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 N

F-Term (12)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA25 ,  5F041DA42 ,  5F041DA44 ,  5F041DA58 ,  5F041DA74