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J-GLOBAL ID：200903010430533534

プラズマエッチング方法

Inventor： 土肥 孝好 ,  谷口 泰之 ,  齋藤 秀一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992324549
Publication number (International publication number)：1994177083
Application date： Dec. 04, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 この発明はエッチングガスによってエッチングを行う場合に、エッチングレ-トの選択比を向上させることができるようにしたエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 液晶基板1が設置されたエッチングチャンバ12内にエッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して上記液晶基板に設けられたシリコン膜、シリコンナイトライド膜あるいはモリブデン-タンタルの合金膜8などをエッチングするプラズマエッチング方法において、上記エッチングガスは弗素系ガスと塩素系ガスとの混合ガスであることを特徴とするプラズマエッチング方法。

Claim (excerpt)：

被エッチング物質が設置されたエッチングチャンバ内にエッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して上記被エッチング物質をエッチングするプラズマエッチング方法において、上記エッチングガスは弗素系ガスと塩素系ガスとの混合ガスであることを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-096223
  
• 特開平3-222417
  
• 特開平4-271120