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J-GLOBAL ID：200903010435153071

ポリシラン配向膜の製造方法

Inventor： 可児 利佳子 ,  川田 靖 ,  中野 義彦 ,  村井 伸次 ,  早瀬 修二
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992243793
Publication number (International publication number)：1994095125
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【構成】基板上にポリシラン薄膜を形成する。続いて、前記ポリシラン薄膜に対し、特定の一方向に振動成分を有するエネルギー線を吸収させることによって、前記ポリシラン薄膜中のポリシラン分子のうち、前記エネルギー線の振動成分の方向と略直交する方向に配向した成分を選択的に残存させる。【効果】ポリシラン分子のSi-Si主鎖が、全面に亘って秩序良く一定方向に配向したポリシラン配向膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

(a)基板上にポリシラン薄膜を形成する工程と、(b)前記ポリシラン薄膜に、特定の一方向に振動成分を有するエネルギー線を吸収させることによって、前記ポリシラン薄膜中のポリシラン分子のうち、前記エネルギー線の振動成分の方向と略直交する方向に配向した成分を選択的に残存させる工程と、を具備するポリシラン配向膜の製造方法。