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J-GLOBAL ID：200903010440612670

配線基板およびその製造方法

Inventor：
佐々木 康博

About 佐々木 康博

, 
寺尾 慎也

About 寺尾 慎也

, 
今別府 正次

About 今別府 正次


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999120385
Publication number (International publication number)：2000312057
Application date： Apr. 27, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】絶縁基板に0.1mm以上の厚さを有する導体配線層を設けても絶縁基板の熱膨張差によるクラックの発生や導体配線層の剥離の発生がなく、熱抵抗の小さい信頼性の高い導体配線層を有する配線基板を得る。【解決手段】Al2 O3 、AlNまたはSi3 N4 を主成分とするセラミック絶縁基板1の表面に、Cuを主体とする金属粉末と有機バインダを含有する混合物をシート状に成形したヤング率が異なる複数の導体シートを絶縁基板1と接する側から表面側にかけてヤング率が大きくなるように積層圧着した後、熱処理して、導体配線層2の該絶縁基板1と接する部分から導体配線層2の表面にかけてヤング率が連続的または段階的に大きく、且つ導体配線層2の絶縁基板1と接する部分のヤング率が70〜90GPa、気孔率が5〜25%となるように大電流用の導体配線層2を形成する。
Claim (excerpt)：
セラミック絶縁基板の表面に、厚さ0.1mm以上のCuを主体とする導体配線層が形成されてなる配線基板であって、前記導体配線層の前記絶縁基板と接する部分から前記導体配線層の表面にかけてヤング率が連続的または段階的に大きく、且つ前記導体配線層の前記絶縁基板と接する部分のヤング率が70〜90GPaであることを特徴とする配線基板。
IPC (4)：
H05K 1/03 610 ,  C04B 41/90 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/46
FI (5)：
H05K 1/03 610 D ,  C04B 41/90 A ,  H05K 1/09 A ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 S
F-Term (38)：
4E351AA07 ,  4E351AA09 ,  4E351AA19 ,  4E351BB01 ,  4E351BB23 ,  4E351BB24 ,  4E351BB30 ,  4E351BB31 ,  4E351BB35 ,  4E351CC12 ,  4E351CC19 ,  4E351CC23 ,  4E351DD04 ,  4E351DD17 ,  4E351GG03 ,  5E346AA02 ,  5E346AA04 ,  5E346AA15 ,  5E346AA25 ,  5E346AA29 ,  5E346AA35 ,  5E346BB01 ,  5E346BB15 ,  5E346CC17 ,  5E346CC19 ,  5E346CC32 ,  5E346CC35 ,  5E346CC36 ,  5E346DD12 ,  5E346EE31 ,  5E346EE35 ,  5E346EE38 ,  5E346FF18 ,  5E346GG03 ,  5E346GG06 ,  5E346GG09 ,  5E346GG10 ,  5E346HH11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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