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J-GLOBAL ID：200903010446133935

半導体レーザ素子

Inventor： 田中 俊明 ,  柳澤 浩徳
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993263352
Publication number (International publication number)：1995122811
Application date： Oct. 21, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】閾値電流の低減及び高温動作を図って改善することにある。【構成】半導体基板上に設けた禁制帯幅の大きな光導波層に挾まれた量子井戸層構造の活性層において、前記量子井戸層の構成元素に対して前記半導体基板とは格子整合しない組成を用いることにより引張応力或いは圧縮応力を生じる格子歪を導入するが、歪量子井戸層に対して格子歪を一様に導入するのではなく、周期的に或いは不規則に超格子構造として変調して前記量子井戸層内にポテンシャル井戸を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けた禁制帯幅の大きな光導波層に挾まれた量子井戸層構造の活性層において、前記量子井戸層の構成元素に対して前記半導体基板とは格子整合しない組成を用いることにより引張応力或いは圧縮応力を生じる格子歪を導入するが、歪量子井戸層に対して格子歪を一様に導入するのではなく、周期的に或いは不規則に超格子構造として変調して前記量子井戸層内にポテンシャル井戸を形成することを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-061772   Applicant：株式会社日立製作所