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J-GLOBAL ID：200903010446411749

環状体の製造方法および磁気記憶装置およびその製造方法

Inventor：
屋上 公二郎

About 屋上 公二郎

, 
元吉 真

About 元吉 真


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003048614
Publication number (International publication number)：2004259913
Application date： Feb. 26, 2003
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：
【課題】磁性膜を含む多層膜からなるもので、実用上必要とされる数nmオーダーの厚みの環状体を精度良く形成することで、磁気記憶装置の記憶セルへの適用を可能にする。【解決手段】基板11上に環状体15の芯となる柱状のコラム12を形成する工程と、基板11上およびコラム12上に環状体15を形成するための環状体形成膜13を基板11上形成される環状体形成膜13とコラム12上に形成される環状体形成膜13とが分離するように堆積形成する工程と、環状体形成膜13を被覆するマスク膜14を形成する工程と、マスク膜14および環状体形成膜13を異方性加工(異方性ドライエッチング)して、コラム12側壁に残存させることにより、マスク膜14を載せた環状体形成膜13からなる環状体15を形成する工程とを備えている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上に環状体の芯となる柱状のコラムを形成する工程と、 前記基板上および前記コラム上に前記環状体を形成するための環状体形成膜を前記基板上形成される環状体形成膜と前記コラム上に形成される環状体形成膜とが分離するように堆積形成する工程と、 前記環状体形成膜を被覆するマスク膜を形成する工程と、 前記マスク膜および前記環状体形成膜を異方性加工して、前記コラム側壁に残存させることにより、前記マスク膜を載せた前記環状体形成膜からなる環状体を形成する工程と を備えたことを特徴とする環状体の製造方法。
IPC (4)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12
FI (5)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 P ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12
F-Term (13)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR04 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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