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J-GLOBAL ID：200903010446431448

半導体受光装置

Inventor： 鍬塚 治彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991212406
Publication number (International publication number)：1993055619
Application date： Aug. 23, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 光通信システムに用いるのに適した半導体受光装置に関し、高速応答と高い量子効率を同時に実現することの可能な半導体受光装置を提供することを目的とする。【構成】 受光しようとする光信号のフォトンエネルギより広いバンドギャップエネルギと、第1導電型を有する化合物半導体第1層1と、前記化合物半導体第1層上に形成され、受光しようとする光信号のフォトンエネルギより狭いバンドギャップエネルギを有する化合物半導体光吸収層2と、前記化合物半導体光吸収層上に形成され、受光しようとする光信号のフォトンエネルギより広いバンドギャップエネルギと、第2導電型を有する化合物半導体第2層3とを有し、少なくとも前記化合物半導体第1層1、第2層3のいずれかの面が化合物半導体光吸収層2に対して斜めにカットされて光入射面となっている。

Claim (excerpt)：

受光しようとする光信号のフォトンエネルギより広いバンドギャップエネルギと、第1導電型を有する化合物半導体第1層(1)と、前記化合物半導体第1層上に形成され、受光しようとする光信号のフォトンエネルギより狭いバンドギャップエネルギを有する化合物半導体光吸収層(2)と、前記化合物半導体光吸収層上に形成され、受光しようとする光信号のフォトンエネルギより広いバンドギャップエネルギと、第2導電型を有する化合物半導体第2層(3)とを有し、少なくとも前記化合物半導体第1層、第2層のいずれかの面(4)が化合物半導体光吸収層に対して斜めにカットされて光入射面となる半導体受光装置。