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J-GLOBAL ID：200903010465854490
レジストパターンの形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992175109
Publication number (International publication number)：1994020943
Application date： Jul. 02, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】レジストパターンの形成において、高解像力,広い焦点深度を確保するとともに下地段差の反射に起因する多重干渉効果,ハレーションを防止する。【構成】ポジ型レジストの下層に薄い反射防止膜105を設け、パターニングしたポジ型レジスト106を形成し、このポジ型レジスト106を全面露光して露光されたポジ型レジスト107を形成し、シリル化処理によりこの露光されたポジ型レジスト107の表面にシリル化された領域108を形成する。表面にシリル化された領域108を有するレジスト107をマスクにして反射防止膜105のパターニングを行ない、反射防止膜105aを形成する。
Claim (excerpt)：
表面に加工される膜が設けられた半導体基板上に、あらかじめ、露光光を吸収する反射防止膜を塗布し、前記反射防止膜上に、ポジ型レジストを塗布し、露光,現像処理により、前記ポジ型レジストからなるレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを全面露光し、前記レジストパターンの表面のみにシリコンを拡散し、前記レジストパターンをマスクとして酸素を含むプラズマにより前記反射防止膜を異方性エッチングすることにより、前記レジストパターンの直下に前記レジストパターンと同形の反射防止膜パターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
FI (2)：
H01L 21/30 361 T
, H01L 21/30 361 K
