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J-GLOBAL ID：200903010469325777

酸窒化物半導体

Inventor： 板垣 奈穂 ,  岩崎 達哉 ,  渡邉 壮俊 ,  田 透
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (2)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008115730
Publication number (International publication number)：2009275236
Application date： Apr. 25, 2008
Publication date： Nov. 26, 2009
Summary：

【課題】 高移動度と対環境安定性を兼ね揃えた半導体および半導体素子を提供する。また可視光領域に受光感度を有する半導体および半導体素子を提供する。【解決手段】 金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がIn、Ga、Sn、Mg、Si、Ge、Y、Ti、Mo、W、Alから選択される少なくとも1つの元素と、Znと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のN/(N+O)で表されるNの原子組成比率が、7原子%以上80原子%以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。【選択図】 図29

Claim (excerpt)：

金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がIn、Ga、Sn、Mg、Si、Ge、Y、Ti、Mo、W、Alから選択される少なくとも1つの元素と、Znと、を含み、 且つ、前記酸窒化物中のN/(N+O)で表されるNの原子組成比率が、7原子%以上100原子%未満であることを特徴とする酸窒化物半導体。

IPC (4)：

C23C 14/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/10 ,  H01L 29/26

FI (4)：

C23C14/06 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L31/10 A ,  H01L29/26

F-Term (73)：

4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA58 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029DC35 ,  5F049MB01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA11 ,  5F049PA07 ,  5F049SS01 ,  5F049SS03 ,  5F051AA07 ,  5F051AA10 ,  5F051CB15 ,  5F051GA03 ,  5F051GA04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103HH01 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F103RR08 ,  5F103RR10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-264885   Applicant：科学技術振興事業団

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-123346
  
• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325366   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 窒化物及び酸窒化物の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-248745   Applicant：国立大学法人新潟大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Crystal Structure Analysis of (Ga0.93Zn0.07)(N0.90O0.10) Oxynitride Photocatalyst
• Oxygen ionosorption on compressed semiconducting powders of zinc and germanium oxynitrides