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J-GLOBAL ID：200903010471358380

イオンビーム照射方法および装置

Inventor： 森 治久 ,  加勢 正隆
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991187839
Publication number (International publication number)：1993036617
Application date： Jul. 26, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウエハーへのイオン注入(打ち込み)でのイオンビーム照射方法およびイオンビーム照射装置に関し、従来の低温イオンビーム注入での被照射物表面への付着堆積層が生じないようにして、イオンの注入深さやドーズ量を所定どおりにすることを目的とする。【構成】 真空チャンバ12内の冷却機能付き担持装置11に被照射物23を載置し、該被照射物23を0°C以下に冷却しながら該被照射物にイオンビーム32を照射するイオンビーム照射方法において、該被照射物へのイオンビーム照射前に、該被照射物表面に紫外線を照射するように構成する。イオンビーム照射装置においては、前記被照射物の表面に紫外線を照射する紫外線照射手段(水銀ランプ)28、29を備えている。

Claim (excerpt)：

真空チャンバ内の冷却機能付き担持装置に被照射物を載置し、該被照射物を0°C以下に冷却しながら該被照射物にイオンビームを照射するイオンビーム照射方法において、該被照射物(23)へのイオンビーム照射前に、該被照射物表面に紫外線を照射することを特徴とするイオンビーム照射方法。

IPC (4)：

H01L 21/265 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/26

FI (2)：

H01L 21/265 D ,  H01L 21/265 F