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J-GLOBAL ID：200903010486413442
フラッシュメモリカードの管理方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
香取 孝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993142124
Publication number (International publication number)：1994348603
Application date： Jun. 14, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 フラッシュメモリカードのリセット処理における動作不良を防止して、メモリカードの継続使用を可能にするフラッシュメモリカードの管理方法を提供。【構成】 フラッシュメモリカードのシステムリセット処理において、一括消去を行なっても、メモリ素子の故障が他のメモリ素子や素子内のブロックに悪影響を及ぼして、正常にデータの消去処理が完了せず、メモリカードが使用不能となる場合がある。この現象を排除するため、第1回目は一括消去処理を行い、素子不良を検出した場合は、不良素子内のブロック毎にブロック消去処理を行なう。この場合さらに消去処理したブロックの記憶領域のデータに対してベリファイを行なって、そのブロックの異常状態を判定し、異常ブロックを示すデータを記憶する。フラッシュメモリカードに備えられた制御回路は、そのブロックの異常状態を表わす記憶データに基づいてフラッシュメモリカードの記憶動作を管理する。
Claim (excerpt)：
データを記憶するための記憶領域が複数のブロック単位からなる記憶領域にて構成されたフラッシュ型のメモリ素子と、該メモリの記憶動作を管理する制御手段とを有して構成されたフラッシュメモリカードの管理方法において、該方法は、前記フラッシュメモリカードが接続されるホスト機器からの命令に応じて、前記メモリ素子の記憶領域に記憶されたデータを前記ブロック単位ごとに消去するブロック消去工程と、該消去工程にて消去された前記データの消去状態を確認する第1のベリファイ工程と、該第1のベリファイ工程にて確認された前記データの消去状態に基づいて前記ブロックに異常が有るか否かを判定する第1の判定工程と、該第1の判定工程の判定結果に基づいて、前記異常を有するブロックを示すデータを記憶し、前記制御手段がこの記憶データを用いて前記メモリカードの記憶動作を管理することを特徴とするフラッシュメモリカードの管理方法。
IPC (2)：
G06F 12/16 310
, G06F 12/16 340
