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J-GLOBAL ID：200903010497947031

磁気メモリ装置

Inventor： 加藤 義寛 ,  岡山 克巳 ,  小林 薫 ,  山元 哲也 ,  五十嵐 実
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002357806
Publication number (International publication number)：2004193246
Application date： Dec. 10, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：

【課題】簡易に磁気シールド層を設け、MRAMにとって好適な高性能な磁気遮蔽効果を実現すること。【解決手段】磁化方向が固定された磁化固定層4、6と、磁化方向の変化が可能な磁性層(記憶層)2とが積層されてなるTMR素子10からなる磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)30が樹脂等の封止材32によって封止されており、MRAM30を磁気シールドするための磁気シールド層33、34が、封止材32の一方の外面及び/又は他方の外面に接して、特にパッケージの上、下両面に粘着剤等によって固定されている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

磁化方向が固定された磁化固定層と、磁化方向の変化が可能な磁性層とが積層されてなるメモリ素子からなる磁気ランダムアクセスメモリが封止材によって封止されており、前記メモリ素子を磁気シールドするための磁気シールド層が、 前記封止材の一方の外面及び/又は他方の外面に接して、或いは、前記封止材の内部において前記メモリ素子とは非接触状態でその少なくとも一方の側に 設けられている 磁気メモリ装置。

IPC (4)：

H01L23/00 ,  H01L27/105 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

FI (4)：

H01L23/00 C ,  H01L43/02 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

F-Term (10)：

5F083FZ10 ,  5F083GA13 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083ZA23