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J-GLOBAL ID：200903010502901118

半導体記憶装置

Inventor： 清水 竜 ,  深瀬 健二
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991204914
Publication number (International publication number)：1993029577
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 メモリセルの高集積化に伴ってキャパシタの占有面積が減少しても、情報記憶に十分な電荷容量を得ることができる半導体記憶装置を提供する。【構成】 メモリセルは、1ビット分の情報を読み書きする1個のトランジスタとこのトランジスタの上部に互いに並列接続されて積み重ねられた3層のキャパシタとを備える。キャパシタの並列増設による容量増加によって、情報記憶に必要な電荷容量を確保する。

Claim (excerpt)：

トランジスタ及びキャパシタを電気的に接続してなる複数のメモリセルを半導体基板上に備えた半導体記憶装置において、前記各メモリセルは、1ビット分の情報を読み書きする1個のトランジスタと、該トランジスタに積層形成され互いに並列接続された複数のキャパシタとを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04