Pat

J-GLOBAL ID：200903010508677872

半導体用アルミニウム基板

Inventor： 島尻 芳文
Applicant, Patent owner： 昭和アルミニウム株式会社
Agent (1)： 佐藤 孝夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991302482
Publication number (International publication number)：1993114668
Application date： Oct. 22, 1991
Publication date： May. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体用、特にスルホールタイプのピングリッドアレー用のアルミニウム基板において、放熱性に優れたアルミニウムを用いる場合の陽極酸化皮膜それ自体にも良好な絶縁性を付与する。【構成】 予め穴明けされた基板表面及び穴部に絶縁皮膜を、そしてその絶縁皮膜の表面に銅皮膜を施してなるピングリッドアレー用基板において、前記予め穴明けされた基板が、その表面及び穴部に陽極酸化皮膜を施したアルミニウム板からなり、その陽極酸化皮膜のバリア層厚さを500Å以上とする。

Claim (excerpt)：

予め穴明けされた基板表面及び穴部に絶縁皮膜を、そしてその絶縁皮膜の表面に銅皮膜を施してなるピングリッドアレー用基板において、前記予め穴明けされた基板が、その表面及び穴部に陽極酸化皮膜を施したアルミニウム板からなり、その陽極酸化皮膜のバリア層厚さが500Å以上とされたことを特徴とする半導体用アルミニウム基板。

IPC (3)：

H01L 23/14 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/05

FI (2)：

H01L 23/14 M ,  H01L 23/12 P