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J-GLOBAL ID：200903010516361140

半導体装置

Inventor： 森 睦宏 ,  安田 保道 ,  櫻井 直樹 ,  荒川 秀俊 ,  大和田 廣
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996204459
Publication number (International publication number)：1997121062
Application date： Feb. 28, 1990
Publication date： May. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】課題は、逆回復特性の優れた半導体装置を提供することにある。【解決手段】n- 層14及びp層16を有するダイオードにおいて、p層16の不純物量を単位面積当たり1×10の14乗個以下とする。【効果】本発明によれば、逆回復電流を低減できる。

Claim (excerpt)：

一方導電型の第1の半導体領域と、第1の半導体領域内に隣接する他方導電型の第2の半導体領域と、第1の半導体領域に接触する第1の電極と、第2の半導体領域に接触する第2の電極と、を備え、第2の半導体領域の不純物量が1cm2 当たり1×10の14乗個以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/78

FI (5)：

H01L 29/91 C ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 P ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 652 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭56-037683
  
• 特開昭58-060577
  
• 特開平3-248563