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J-GLOBAL ID：200903010526275919

半導体製造装置

Inventor： 上角 徹
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347041
Publication number (International publication number)：1994196449
Application date： Dec. 25, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 エッチング中にイオンの衝突や反応生成物の付着等の影響によってプロセスチャンバが透明度を失っても、これを事前に容易に確認することができ、もって常に自動終点検出の判定を正確に行えるために、半導体ウエハに対するエッチング精度を向上させ、またオペレータによるチャンバの透明度の管理の省力化を図ることができる半導体製造装置を得る。【構成】 半導体ウエハ1を処理するプロセスチャンバ2の透明度を検出する投光器8及び受光器9と、受光器9からの検出信号である電流値がしきい値以下のときにはプロセスチャンバ2の透明度が悪いとしてエッチング動作を停止する制御回路7Aとで構成する。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハを処理するプロセスチャンバの透明度を検出する検出手段と、上記半導体ウエハのエッチング動作を制御する制御手段とを備え、上記プロセスチャンバの透明度が所定値以下のときは上記エッチング動作を停止するようにしたことを特徴とする半導体製造装置。