半導体材料および電界効果トランジスタとそれらの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：作田康夫 , 井上学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004311719
Publication number (International publication number)：2006128233
Application date： Oct. 27, 2004
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】金属粒子を核として結晶成長を行い形成するシリコン・ワイヤは、金属汚染の課題がある。【解決手段】リソグラフィーとエッチングという通常のシリコン・プロセスを用いて、SOI基板に対し、リソグラフィーを用いた加工とフッ酸によるウェット・エッチングを行うことで、シリコン・ブリッジを形成する。その後、高温で熱酸化膜を形成し、良質なゲート絶縁膜を形成することが望ましい。また、引き続き、同軸上のゲート電極まで形成することが望ましい。然る後に、シリコン・ブリッジの橋の部分のシリコンをレジスト膜中に埋めた後に、橋げた上部のシリコンを除去する。然る後に、レジスト膜中に埋めたシリコン・ワイヤを回収することで、フッ酸溶液中にシリコン・ワイヤを分散させることなく、シリコン・ワイヤを回収し、シリコン・ワイヤ4をチャネル部として用いたトランジスタを形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

(a)第1基板と、前記第1基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体層とを有するSOI基板を準備する工程と、 (b)前記半導体層を半導体片に加工する工程と、 (c)前記半導体片の下部の前記絶縁膜の一部を除去する工程と、 (d)前記(c)工程で除去された前記絶縁膜があった領域の前記半導体片の上面および下面の一部を覆い、かつ、前記第1基板の表面を覆うように有機材料膜を形成する工程と、 (e)前記半導体片と前記絶縁膜とを分離する工程と、 (f)前記有機材料膜を有機溶剤に溶解させ、前記半導体片と前記第1基板とを分離させた後、前記半導体片を回収する工程と、 (g)第2基板に、前記半導体片を用いて電界効果トランジスタを形成する工程とを有することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 27/08 , H01L 29/06 , H01L 27/092 , H01L 21/823

FI (5)：

H01L29/78 618A , H01L27/08 331E , H01L29/06 601N , H01L29/78 618C , H01L27/08 321A

F-Term (61)：

5F048AA01 , 5F048AC04 , 5F048BA10 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB02 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BC01 , 5F048BD01 , 5F048BD06 , 5F048CB01 , 5F048CB06 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE22 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG52 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ23 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK32 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110NN71 , 5F110PP03 , 5F110QQ05 , 5F110QQ11 , 5F110QQ17

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