Pat

J-GLOBAL ID：200903010539520718

低活性高分子成形体の表面処理方法

Inventor： 新開 弘治 ,  中村 優
Applicant, Patent owner： スズキ株式会社
Agent (1)： 奥山 尚男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992075443
Publication number (International publication number)：1993239241
Application date： Feb. 26, 1992
Publication date： Sep. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 紫外線照射による表面劣化に起因する問題を解消する。【構成】 低活性高分子成形体の表面を紫外線照射処理した後、該低活性高分子成形体を有機溶剤中に浸漬し、一定時間表面を超音波洗浄することとした。

Claim (excerpt)：

低活性高分子成形体の表面を紫外線照射処理した後、該低活性高分子成形体を溶剤中に浸漬し、一定時間表面を超音波洗浄することを少なくとも含む低活性高分子成形体の表面処理方法。

IPC (2)：

C08J 7/00 304 ,  C08J 7/02 CES