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J-GLOBAL ID：200903010546027318

共振素子、バンドパスフィルター及びデュプレクサ

Inventor： 鮮于 國賢 ,  金 庸洙
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007001403
Publication number (International publication number)：2007189686
Application date： Jan. 09, 2007
Publication date： Jul. 26, 2007
Summary：

【課題】共振素子、バンドパスフィルター及びデュプレクサを提供する。【解決手段】非磁性伝導物質で構成された第1電極、第1電極上に形成されており、磁化方向が固定された強磁性物質で構成された強磁性固定層、強磁性固定層上に形成されており、非磁性伝導物質で構成された非磁性伝導層、非磁性伝導層上に形成されており、磁化方向が外部磁界によって変化する強磁性物質で構成された強磁性自由層、及び、強磁性自由層上に形成されており、非磁性伝導物質で構成された第2電極を備えることを特徴とする共振素子である。したがって、本発明による共振素子で構成されたバンドパスフィルターまたはデュプレクサは、高周波数領域で動作可能であり、素子のサイズを小型化でき、帯域幅の調整が可能であり、集積回路との一体化を可能にする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

非磁性伝導物質で構成された第1電極と、 前記第1電極上に形成されており、磁化方向が固定された強磁性物質で構成された強磁性固定層と、 前記強磁性固定層上に形成されており、非磁性伝導物質で構成された非磁性伝導層と、 前記非磁性伝導層上に形成されており、磁化方向が外部磁界によって変化する強磁性物質で構成された強磁性自由層と、 前記強磁性自由層上に形成されており、非磁性伝導物質で構成された第2電極と、を備えることを特徴とする共振素子。

IPC (3)：

H01P 7/00 ,  H01P 1/218 ,  H01P 1/213

FI (3)：

H01P7/00 B ,  H01P1/218 ,  H01P1/213 M

F-Term (5)：

5J006HD04 ,  5J006JA01 ,  5J006KA01 ,  5J006LA11 ,  5J006NA08