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J-GLOBAL ID：200903010549766332

半導体素子の金属配線形成方法

Inventor： 中村 麻樹子 ,  阿部 一英
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995071657
Publication number (International publication number)：1996274093
Application date： Mar. 29, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 簡単な工程で、確実な金属配線を行うことができる半導体素子の金属配線形成方法を提供する。【構成】 半導体基板11の酸化膜12上にCuにぬれ易い材質のTa薄膜13で配線パターンを形成する工程と、その後Cuを成膜し、350°C以上のアニール工程を施し、Cu配線14を形成する工程とを施すようにしたものである。

Claim (excerpt)：

(a)半導体基板の酸化膜上に配線金属にぬれ易い材質の金属薄膜で配線パターンを形成する工程と、(b)その後配線金属を成膜し、アニール工程を施し、金属配線を形成する工程とを施すことを特徴とする半導体素子の金属配線形成方法。

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 B