半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004330698
Publication number (International publication number)：2006140404
Application date： Nov. 15, 2004
Publication date： Jun. 01, 2006
Summary：

【課題】シールリングまで剥離が進行することを防止して、さらに生産性の優れた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、銅配線19が内部に形成された低誘電率膜5a〜5cと、低誘電率膜5cの上側に配置された酸化珪素膜6,7aと、酸化珪素膜6,7aの上側に配置された表面保護膜43と、回路形成領域の周りを取り囲むように形成されたシールリング23と、平面視したときにシールリング23の外側に形成された溝部22とを備える。溝部22は、底部が低誘電率膜5cよりも上側に位置するように形成され、底部が、銅配線19の上端よりも低くなるように形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、基板の上側に配置され、第1の銅配線が内部に形成された低誘電率膜と、前記低誘電率膜の上側に配置された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上側に配置された表面保護膜と、回路形成領域の周りを取り囲むように形成されたシールリングと、平面視したときに前記シールリングの外側に形成された凹み部とを備え、前記層間絶縁膜のうち少なくとも一層は、内部に第2の銅配線を含み、前記層間絶縁膜および前記表面保護膜のうち少なくとも一層は、前記低誘電率膜よりも大きなヤング率を有し、前記凹み部は、溝部および切欠き部のうち少なくとも一方を含み、前記凹み部は、底部が前記低誘電率膜よりも上側に位置するように形成され、前記凹み部は、前記底部が、最も上側に位置する前記第2の銅配線の上端よりも低くなるように形成された、半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/301

FI (3)：

H01L21/88 Z , H01L27/04 H , H01L21/78 L

F-Term (32)：

5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033QQ25 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033RR25 , 5F033TT02 , 5F033VV00 , 5F033XX17 , 5F033XX18 , 5F033XX33 , 5F038BH09 , 5F038BH20 , 5F038CA05 , 5F038CA13 , 5F038CD18 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-332844 Applicant：株式会社東芝, 東芝エルエスアイ・パッケージソリューション株式会社
半導体ウェーハ及びその製造方法、半導体チップ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-360324 Applicant：株式会社東芝
半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-192723 Applicant：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社

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Cited by examiner (1)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-083348 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ

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