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J-GLOBAL ID：200903010572292321
電気的消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995107713
Publication number (International publication number)：1995302499
Application date： May. 02, 1995
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 NANDセルストリングに流れる電流が微弱であっても、十分な読出電流をビット線に流せるようなEEPROMを提供する。【構成】 不揮発性メモリセルM1〜M16を直列接続してなるNANDセルストリング100、120を選択する選択手段ST1、ST2とビット線BLとの間に、エミッタをビット線BLに、ベースを選択手段ST1にそれぞれ接続し、更にコレクタを接地させたバイポーラトランジスタBTを増幅素子として設ける。そして、バイポーラトランジスタBTのエミッタ側と選択手段ST1との間に抵抗素子Rを設けておく。NANDセルストリングの電流はベース電流となり、これを増幅した電流がエミッタ-コレクタ間を流れるので、ビット線BLには十分な増幅電流を流すことができる。
Claim (excerpt)：
不揮発性メモリセルを直列接続してなるNANDセルストリングを、選択手段を介して選択的にビット線へ接続するようになった電気的消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリにおいて、前記選択手段とビット線との間に、NANDセルストリングに流れる電流に従って該電流を増幅した増幅電流をビット線に流す増幅素子を設けたことを特徴とする電気的消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ。
IPC (7)：
G11C 16/06
, G11C 16/02
, G11C 16/04
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 520 A
, G11C 17/00 307 D
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
