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J-GLOBAL ID：200903010572436544

半導体製造装置

Inventor： 辻村 学 ,  服部 博
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (1)： 渡邉 勇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993350991
Publication number (International publication number)：1995201754
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 二重シールの中間部から主排気に水分が混入することを防止することができる半導体製造装置を提供する。【構成】 反応室1内に上下動可能に設置される半導体ウエハ3を支持するサセプタ4と、サセプタ4を支持する支持軸の貫通部に設置された二重シール6と、反応室1内を排気する主排気ポンプ8とを備えた半導体製造装置において、二重シール6の中間部11を主排気ポンプ8に連通させるとともに二重シール6の大気側に不活性ガス導入部13を設け、不活性ガス導入部13より中間部11に漏れ込んだ不活性ガスを主排気ポンプ8で排気するようにした。

Claim (excerpt)：

反応室内に上下動可能に設置される半導体ウエハを支持するサセプタと、該サセプタを支持する支持軸の貫通部に設置された二重シールと、前記反応室内を排気する主排気ポンプとを備えた半導体製造装置において、前記二重シールの中間部を前記主排気ポンプに連通させるとともに該二重シールの大気側に不活性ガス導入部を設け、該不活性ガス導入部より前記中間部に漏れ込んだ不活性ガスを前記主排気ポンプで排気するようにしたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511