Pat
J-GLOBAL ID：200903010580095691
微細パターン形成方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995005768
Publication number (International publication number)：1995249572
Application date： Jan. 18, 1995
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：
【要約】【目的】 塩基性の半導体基板の上に形成された化学増幅型レジストよりなるレジストパターンに発生する裾ひき又は食い込みを防止する。【構成】 半導体基板1の上に形成されたTiN膜2の上に酸性溶液を供給し、TiN膜2を酸性溶液7に浸漬して、半導体基板1の表面を中和するか又は半導体基板1の表面の塩基性を弱める。その後、半導体基板1の上に、放射線が照射されると酸を発生する酸発生剤と酸により反応する化合物とを含む化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜4を形成した後、該レジスト膜4に放射線を照射して露光する。露光されたレジスト膜4を現像してレジストパターン6を形成すると、裾ひきのないレジストパターン6が得られる。
Claim (excerpt)：
半導体基板の上に酸性溶液を供給する第1の工程と、前記半導体基板の上に、放射線が照射されると酸を発生する酸発生剤と酸により反応する化合物とを含む化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する第2の工程と、前記レジスト膜に放射線を照射して露光する第3の工程と、露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する第4の工程とを備えていることを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/027
, G03F 7/028
, H01L 21/26
H01L 21/30 561
, H01L 21/26
, H01L 21/30 563
, H01L 21/30 568
