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J-GLOBAL ID：200903010589811535

レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法

Inventor： 角野 元重 ,  深沢 和仁 ,  松尾 隆弘
Applicant, Patent owner： 和光純薬工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社
Agent (1)： 平井 順二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998136123
Publication number (International publication number)：1999015164
Application date： Apr. 30, 1998
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 220nm以下の遠紫外光、特にArFエキシマレーザ光等に対し高い透過性を有し、エッチング耐性等に優れたレジスト膜が得られる新規なレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法の提供。【解決手段】 一般式[1a]【化1】(式中、R5,R6及びR7は夫々独立して水素原子、アルキル基、シアノ基、アルキルオキシカルボニル基、又はカルバモイル基を表し、Zはスペーサー又は結合手を表し、Rは末端の水酸基が保護されたヒドロキシアルキル基を表す。)で示されるモノマー単位を構成単位として含んで成るポリマーと、露光により酸を発生する感光性化合物と、これらを溶解することができる溶剤とを含んで成るレジスト組成物、及びこれらを用いたパターン形成方法。

Claim (excerpt)：

一般式[1a]【化1】(式中、R5,R6及びR7は夫々独立して水素原子、アルキル基、シアノ基、アルキルオキシカルボニル基又はカルバモイル基を表し、Zはスペーサー又は結合手を表し、Rは末端の水酸基が保護されたヒドロキシアルキル基を表す。)で示されるモノマー単位を構成単位として含んで成るポリマーと、露光により酸を発生する感光性化合物と、これ等を溶解可能な溶剤とを含んで成るレジスト組成物。

IPC (3)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 A ,  H01L 21/30 502 R