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J-GLOBAL ID：200903010600919556

半導体装置の製造装置

Inventor： 材原 英憲 ,  岡本 倫太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995336967
Publication number (International publication number)：1997181026
Application date： Dec. 25, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】短い処理時間で、不良品の発生率が増加しない半導体装置の製造装置を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、半導体基板1 の表側の面を保持する半導体基板台2,2aと、前記半導体基板台2,2aの中心部2aの回りに設けられてガスを噴射する噴出口4とを有し、前記噴出口4 から外側の部分に前記ガスを放射状に噴射して流出させ、前記中心部2a付近に発生する負圧によって前記半導体基板1 を吸引し保持するベルヌイチャック機構と、前記半導体基板1 の周縁部に対向する前記半導体基板台2 の領域に設けられた段差14及び傾斜15の少なくとも一方である流速調節機構を備えている。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表側の面を保持する半導体基板台と、前記半導体基板台の中心部の回りに設けられてガスを噴射する噴出口とを有し、前記噴出口から外側の部分に前記ガスを放射状に噴射して流出させ、前記中心部付近に発生する負圧によって前記半導体基板を吸引し保持するベルヌイチャック機構と、前記噴出口から前記半導体基板の周縁部に向かって放射状に流出するガスの速度を前記半導体基板の周縁部に応じた箇所において変化させる流速調節機構とを具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (5)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B65G 49/07 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/68

FI (5)：

H01L 21/304 341 G ,  H01L 21/304 341 C ,  B65G 49/07 H ,  H01L 21/68 N ,  H01L 21/306 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 試料保持方法及び試料表面の流体処理方法並びにそれらの装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-106640   Applicant：株式会社日立製作所